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高气压下微晶硅薄膜的生长及微结构研究 微晶硅薄膜是一种具有应用潜力的新型薄膜材料，用于制备太阳能电池、显示屏幕等。但是，其生长过程以及微结构的讨论仍是一个重要课题。为此，本文的研究重点是在极高气压下生长微晶硅薄膜，考察其微结构的变化。 在本文的研究中，采用动态高温还原（DHR）一步法从氢氟酸溶液中气相沉积，在适当的条件下制备了微晶硅薄膜样品，用极高气压下的热反应技术生长。经过仔细分析，发现样品中形成了许多不同结构微粒。 研究发现，当反应温度和气压分别为750℃和2.2 GPa时，微晶硅薄膜的氧化物层具有极佳的均匀性、高标准的熔融行为和良好的光学性能。因此，在此条件下可以得到良好的样品，微晶硅薄膜的晶粒大小也得到了一定程度的改善。 从X射线衍射（XRD）曲线来看，所生长的微晶硅薄膜具有立方晶体结晶相形态，而且晶胞参数也可以获得。此外，通过扫描电子显微镜（SEM）和透射电镜（TEM）等表征技术对微晶硅/氧化物界面的粗糙度和表面能做出了详细的表征，也能观察到晶格的调整。 综上所述，本文的研究开展了一项重要的研究，微晶硅薄膜在极高气压下的生长及微结构的研究取得了不错的成果，为今后微晶硅薄膜的应用提供技术支持以及更完善的研究基础。