一种具有低电容、简化加压方式的硅像素探测器.pdfVIP

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2023-03-14 发布于四川
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一种具有低电容、简化加压方式的硅像素探测器.pdf

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本实用新型公开一种具有低电容、简化加压方式的硅像素探测器，包括n×n个像素单元；像素单元包括硅体，硅体其中一端中间设有中心阴极电极，中心阴极电极外围有间隔的设有两个同心方形环阴极电极，中心阴极电极和两个同心方形环阴极电极外面均包有阴极电极表面外的电极金属层；阴极电极表面外的电极金属层两两之间设置有二氧化硅保护层；连接部电极金属层通过连接中心阴极电极和两个同心方形环阴极电极外的阴极电极表面的电极金属层，将中心阴极电极和两个同心方形环阴极电极连接起来；硅体另一端设置有下表面阳极电极，下表面阳极电极外

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213546326 U (45)授权公告日 2021.06.25 (21)申请号 202022841683.7 (22)申请日 2020.12.01 (73)专利权人湘潭大学地址 4