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- 2023-03-14 发布于四川
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本公开的实施例涉及光传感器。实施例提供了一种光传感器,其特征在于,包括:半导体衬底;以及多个像素,其中每个像素包括:光转换区,在半导体衬底的正面与背面之间的半导体衬底中延伸;以及光学衍射光栅,位于半导体衬底的背面上方、并且面向像素的光转换区;其中多个像素中的一个像素的光学衍射光栅和多个像素中的另一像素的光学衍射光栅的节距不同。利用本公开的实施例,允许在大量的窄波长范围内对接收光进行分析。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213583788 U
(45)授权公告日 2021.06.29
(21)申请号 202022118251.3
(22)申请日 2020.09.24
(30)优先权数据
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