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本实用新型提供了一种芯片封装结构,包括:衬底晶圆,其具有相对设置的第一表面和第二表面;硅通孔结构,其形成于所述衬底晶圆中且一端暴露于所述衬底晶圆的第一表面;焊垫结构,其形成于所述衬底晶圆的第一表面并连接所述硅通孔结构;修整槽,其形成于所述衬底晶圆的第一表面且位于所述衬底晶圆的边缘区域。本实用新型通过在待减薄的衬底晶圆中引入修整槽,减少了减薄产生的应力,降低了晶圆破裂的风险;在减薄等工艺过程中通过引入临时键合的衬底还有效防止了晶圆异常翘曲,提升了制程可靠性;多层芯片结构还有效减少了封装尺寸,提升了
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213546309 U
(45)授权公告日 2021.06.25
(21)申请号 202022971251.8 (ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
(22)申请日 2020
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