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- 2023-03-15 发布于四川
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本实用新型提供了一种高增益及宽动态响应范围的集成光电传感器，其掺杂源区和掺杂漏区间隔设置于衬底的顶部，掺杂源区顶部形成源极电极，掺杂漏区顶部形成漏极电极；栅绝缘层设置于掺杂源区和掺杂漏区之间，其顶部设置有栅电极；掺杂源区、源极电极、掺杂漏区、漏极电极、栅绝缘层和栅电极形成场效应晶体管；光敏掺杂区与所述衬底形成光敏二极管，所述光敏掺杂区顶部形成光敏二极管的顶部电极，所述衬底为光敏二极管的底部电极并与场效应晶体管的背沟道相连；所述隔离区设置于所述光敏二极管与所述场效应晶体管之间。该集成光电传感器结构
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213583789 U
(45)授权公告日 2021.06.29
(21)申请号 202023045376.4
(22)申请日 2020.12.16
(73)专利权人 中山大学
地址 5
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