耐压功率MOSFET器件.pdfVIP

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2023-03-15 发布于北京
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耐压功率MOSFET器件.pdf

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本实用新型公开一种耐压功率MOSFET器件，所述MOS器件包括至少2个MOS器件单胞，所述MOS器件单胞进一步包括：P型基体层、轻掺杂N型漂移层、重掺杂N型衬底层，位于所述P型基体层上部且在沟槽周边具有一重掺杂N型源极区，一重掺杂P型植入区位于重掺杂N型源极区外侧周边并在竖直方向延伸至重掺杂N型源极区下方；相邻所述MOS器件单胞之间的P型基体层内具有一深凹槽，此深凹槽的下端延伸至轻掺杂N型漂移层的中部，此深凹槽内填充有一绝缘二氧化硅部，此深凹槽上表面覆盖有一第二绝缘介质层。本实用新型高强健性功率

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213583803 U (45)授权公告日 2021.06.29 (21)申请号 202022576884.9 (22)申请日 2020.11.09 (73)专利权人开