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功率半导体行业第三代半导体材料带来新的发展机遇 功率半导体行业第三代半导体材料带来新的发展机遇 以SiC为代表的第三代半导体材料给功率半导体行业带来了新的发展契机，SiC材料相对于硅基材料主要拥有优势：耐高压、耐高温、工作频率高。 耐高压SiC的击穿场强约为硅的10倍，这就意味着同样电压等级的SiCMOSFET晶圆外延层厚度只要硅的十分之一，是应用于超高压功率器件的理想材料。耐高温SiC的禁带宽度是硅基材料的3倍，SiC的热导率是硅基材料的2-3倍，故SiC功率器件的应用可使散热器体积减小。高频SiC的电子饱和速度是硅基材料的2-3倍，SiC功率器件可实现10倍于硅基功率器件的工作频率。国家设