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- 2023-03-18 发布于北京
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本实用新型提供一种增强散热的多芯片封装结构,属于半导体封装结构技术领域,该增强散热的多芯片封装结构包括基板,所述基板的外表面固定连接有封装框,所述封装框的下表面固定连接有封装下层,所述封装框的上表面固定连接有封装上层,在基板上先开设散热槽和通槽,使得芯片的热量便于散发到封装下层,导热孔也便于热量向四周传递,不集中在一块,对芯片进行封装后,为了方便芯片在使用中的散热效率,在封装下层开设有沟槽、方形槽和圆形槽,使得在不增加芯片体积基础上增加表面积提升散热性能,同时这三种槽所形成的结构也有利于减小封装
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213692025 U
(45)授权公告日 2021.07.13
(21)申请号 202023303992.5
(22)申请日 2020.12.30
(73)专利权人 亿
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