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一种半导体激光器集成芯片.pdfVIP

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  • 2023-03-18 发布于北京
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一种半导体激光器集成芯片.pdf

    本实用新型公开了一种半导体激光器集成芯片，集成芯片包括激光出射单元和激光探测单元；集成芯片还包括：公共外延结构；位于公共外延结构一侧的第一介质结构和分立外延结构；分立外延结构包括第一分立外延结构和第二分立外延结构；激光出射单元包括公共外延结构、第一分立外延结构、第一分立电极和公共电极；激光探测单元包括公共外延结构、第二分立外延结构、第二分立电极和公共电极；激光出射单元具备第一腔长，激光探测单元具备第二腔长，第一介质结构具备第三腔长，半导体激光器集成芯片的腔长为第一腔长、第三腔长与第二腔长之和。解

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213692647 U (45)授权公告日 2021.07.13 (21)申请号 202022897883.4 (22)申请日 2020.12.03 (73)专利权人 因

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