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- 2023-03-18 发布于北京
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本实用新型公开了一种UV‑LED芯片结构，其包括衬底层、N型半导体层、绝缘层、N型接触电极、N型保护电极、P型接触电极、P型保护电极和P型焊接层，所述N型半导体层上设有多个台面结构，所述台面结构包括有源发光层和P型半导体层。合理在P型半导体层的局部区域设有P型接触电极，使得P型接触电极的边沿与P型半导体层的边沿具有一定距离，有效阻止电流通过P型接触电极直接横向导到台面结构边沿，避免加剧电流的拥挤，同时采用多个台面结构以及齿状边沿设计，相应增加台面结构的边沿长度总和，从而降低边沿的电流密度，利于电
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213692085 U
(45)授权公告日 2021.07.13
(21)申请号 202023035532.9
(22)申请日 2020.12.16
(73)专利权人 松山湖材料实验室
地
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