高可靠的非易失存储器的存储单元阵列及非易失存储器.pdfVIP

下载本文档

1
0
约8.27千字
约 11页
2023-03-20 发布于四川
举报
版权申诉

高可靠的非易失存储器的存储单元阵列及非易失存储器.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本实用新型提供一种高可靠的非易失存储器的存储单元阵列及非易失存储器，使每一条位线只与位于该位线上的一个存储单元相连接，这样可能会浪费NORFlash内的大部分存储空间，但是对于一些要求芯片存储量小，并且可以接受成本的情况来说，这样的NORFlash的可靠性是最好的，每条位线上就连接一个存储单元，那读取这个存储单元的数据时，因为该位线上再没有其他存储单元会对这个与位线连接的存储单元造成过擦除的影响，所以数据读取的可靠性得到保证，由此可以有效地规避了因为过擦除带来的数据读错的风险，提高了存储单元

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213716517 U (45)授权公告日 2021.07.16 (21)申请号 202023237578.9 (22)申请日 2020.12.29 (73)专利权人芯天下技术股份有限公司