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2023-03-21 发布于北京
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半导体器件.pdf

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本实用新型提供了一种半导体器件，衬底具有存储区及外围电路区，所述衬底的外围电路区内具有金属布线层；电容结构位于衬底的存储区上，保护层覆盖电容结构的外壁并延伸覆盖衬底的外围电路区；层间介质层覆盖至少部分保护层，第一电连接件至少贯穿保护层并与电容结构的上电极电性连接，第二电连接件至少贯穿层间介质层及保护层并与金属布线层电性连接。保护层可以完全包裹住所述电容结构，能够较好地防止所述电容结构被外界的水汽或信号侵扰，同时也能够更好地将电容结构与其他金属层隔离开，防止信号串扰，提高了器件的寿命低和可靠性；并

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213782018 U (45)授权公告日 2021.07.23 (21)申请号 202022730351.1 (22)申请日 2020.11.23 (73)专利权人福建省晋华集成电路有限公司