半导体温度计的设计和制作实验报告.docxVIP

半导体温度计的设计和制作实验报告.docx

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实验题目:半导体温度计的设计和制作 RR R R 2 ? T 2 (1) I G ? R ? R R G 1 ? R R 2 R 3 ? R T 2 R R V CD R ? R 1 1 2 2 R ? R 3 T 2 3 T 2 (2) R 1 ? 2V I CD ( 1 ? R ) ? 2(R ? R R ) G 2 R T 1 R T 2 T 2 T 1 T 2 G R ? R T 1 T 2 实验步骤:1.根据(2)式算得 R =R =4785.86Ω 1 2 12断开 R ,R 连接,调整 R1,R2。 1 2 根据地板图焊接电路。 用电阻箱代替热敏电阻,调节 R3,使 RT 为 20℃对应阻值时电表示数为 0;调 R 使使 RT 为 70℃对应阻值时电表满偏。 开关置 2 档,调 R4,使电表满偏。 6.从 R-T 曲线(在下页)中读 20℃~70℃每隔 2.5℃ 对应阻值,读出RT 为上述阻值时微安表示数 T。把表盘可读改为温度刻度并画出 I-T 曲线。 用实际热敏电阻代替电阻箱并测出 55.5℃水浴和 34.5℃水浴对应电流值和温度。 实验数据: RT 为不同温度(℃)对应阻值时微安表电流值(uA) 温度 20 22.5 25 27.5 30 32.5 35 37.5 40 42.5 45 电流 0 2.9 7 10.1 12.5 16.8 19.1 21.8 24.5 28.2 30.5 温度 45.5 50 52.5 55 57.5 60 62.5 65 67.5 70 电流 32.8 35.1 37.7 40.1 41.0 43.8 46.2 47.2 48.0 50.0 图表 1:R-T 曲线 图表 2:I-T 曲线及其线性拟合 线性回归方程:T=17.31755+0.97318I 实验结果:在 55.5℃水浴下测得电流值为 40.3μA 与从图表 2 中读到对应温度电流值:39.2μA 相对误差为 2.73% 在 35.4℃水浴下测得电流值为 20.0μA 与从图表 2 中读到对应温度电流值:19.5μA 相对误差为 2.5% 误差分析:1. R1,R2, R3, R4 难以调校准确,误差较大,有的电位器阻值自己会变,且在焊接和其它操作过程中阻值可能有变化。 电池电力可能已经不足。 测量温度可能在热敏电阻的非线性区间。 实验室温度等其它因素可能对元件性能产生影响。思考题: 为什么在测 R1,R2 时,需将开关置为 1 档,拔下 E 处 接线,断开微安表? 答:如果没有如上操作,将会有其它元件接入电路。测量的将是待测电阻和其它部分的并联。如果电池接入电路(开关置为 2)还可能对万用电表造成损害。

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