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- 2023-03-23 发布于北京
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本实用新型提供了一种碳化硅粉料氮化处理装置,包括炉体和坩埚,所述炉体的上端密封设置有上盖,下端密封设置有下盖,所述下盖底部开设有多个氮气进气孔,所述氮气进气孔与所述炉体内部连通,多个氮气进气孔的总面积为下盖底部面积的0.01%~2%;所述坩埚放置在炉体内部,所述坩埚用于放置待氮化处理的碳化硅粉料,所述坩埚的孔径为1~100μm。在坩埚内放置碳化硅粉料,通过下盖底部的氮气进气孔通入氮气,使碳化硅粉料处于富氮的气氛中,氮气穿过坩埚,渗透到坩埚内部,较多的氮气吸附在碳化硅粉料中,得到富氮的碳化硅粉料。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213854445 U
(45)授权公告日 2021.08.03
(21)申请号 202022484400.8
(22)申请日 2020.10.30
(73)专利权人 山东天岳先进科技股份有限公司
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