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本实用新型公开了一种用于碳化硅单晶生长设备，其包括：坩埚组件，包括用于容纳碳化硅粉料和碳化硅籽晶并使碳化硅粉料在升华后凝结在碳化硅籽晶上的生长腔室；加热炉，用于容纳坩埚组件并对坩埚组件实施加热；多个测温单元，其沿着轴向间隔开地设在加热炉外且能伸入到加热炉内测量生长腔室内不同轴向位置的温度；控制系统，与加热炉和测温单元相连。该碳化硅单晶生长设备可以获取并展示生长腔室的轴向温度梯度变化，使得用户可以在控制系统中及时调整碳化硅单晶生长设备的运行参数，并准确控制生长腔室的温度场，提高碳化硅单晶生长质量和
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 218666400 U
(45)授权公告日 2023.03.21
(21)申请号 202223033516.5
(22)申请日 2022.11.14
(73)专利权人 湖南三安半导体有限责任公司
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