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本申请涉及集成电路领域，公开了一种具有虚拟填充的精密电阻器结构，包括：半导体衬底，设置在半导体衬底中的第一虚拟填充层；设置在半导体衬底表面上的第一介电层，第一介电层中设置有第二虚拟填充层；设置在第一介电层表面上的第二介电层，第二层介电层中设置有电阻体，电阻体两端设置有互连结构；设置在第二介电层表面上的第三介电层，第三介电层中设置有金属互连层，金属互连层分别与两端的互连结构连接。第一虚拟填充层沿垂直于电阻体延伸的方向呈间隔排布，第二虚拟填充层沿垂直于电阻体延伸的方向呈间隔排布，并且，第一虚拟填充层
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213905048 U
(45)授权公告日 2021.08.06
(21)申请号 202022959552.9
(22)申请日 2020.12.09
(73)专利权人 上海类比半导体技术有限公司
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