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新型源漏结构MOSFET的设计和工艺制备研究 摘要：本文旨在探讨新型源漏结构MOSFET的设计和工艺制备研究。通过对源漏结构的分析和优化设计，本文提出了一种新型结构，能够大幅度提升MOSFET的性能和效率。同时，本文还通过研究新型结构MOSFET的制备工艺，探讨了一种适用于该结构的制备方法，能够同时满足制备的高精度和低成本的要求。实验结果表明，新型结构MOSFET具有较高的电流承受能力和较低的电压漏失能力，性能稳定可靠，适用于多种工艺制造需求。关键词：源漏结构、MOSFET、制备工艺、电流、电压漏失MOSFET是当前集成电路领域中最重要的器件之一。而其性能的提升和优化一直是研究的热点。