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本实用新型涉及等离子体刻蚀的技术领域，公开了一种传输装置和等离子体处理装置，所述传输装置包括承载件，其内设有空腔，其包括相对的第一面和第二面，所述第一面用于承载所述基片，所述第二面具有若干个气孔，所述气孔与所述空腔连通，所述气孔朝向基座的表面；一端与所述空腔连通的气体管道；与所述气体管道的另一端连接的气压控制机构，用于通过气体管道、空腔和气孔扰动基座上方的气体，从而清理基座表面的污染物。在所述承载件上设置气孔，通过气压控制机构产生正压或负压，将沾在静电吸盘上的颗粒吹走或吸走，避免基片背面颗粒污染
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214043597 U
(45)授权公告日 2021.08.24
(21)申请号 202022429234.1
(22)申请日 2020.10.27
(73)专利权人 中微半导体设备（上海）股份有限
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