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- 2023-03-29 发布于四川
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本实用新型涉及一种堆叠晶圆的封装结构,属于半导体芯片封装技术领域。其包括晶圆堆叠体C1、晶圆A1、电气连接层(150),所述晶圆堆叠体C1设置于晶圆A1上方并通过电气连接层(150)连接,所述晶圆堆叠体C1包括若干层功能晶圆,于晶圆A1上方,所述晶圆堆叠体C1的正面涂覆介电层Ⅲ(300)并形成介电层Ⅲ开口(301),所述介电层Ⅲ开口(301)上内设置金属种子层(310)和金属凸块(360),所述金属凸块(360)与相邻的晶圆的金属互联层(120)通过金属种子层(310)连接。本实用新型提供了多层
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214012940 U
(45)授权公告日 2021.08.20
(21)申请号 202023298769.6 H01L 21/98 (2006.01)
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