Flotherm在产品开发中的应用.pptVIP

Flotherm在产品开发中的应用;;;;;;冷热两个端各包括两个热源，一个常量，一个与温度相关。塞贝克系数随温度变化而变化，在-50oC和50oC之间可以视为线性的，设为 α=MT+B;冷端热源： Source 1: -2NI(273.15)B (W) Source 2: Coefficient =2NI(273.15M+B)/V (W/K/m3) Value = 0.0 (oC) 其中 α——塞贝克系数 M, B——常数 T——温度 N——极偶对数 V——热源体积;具体模型建立，可以借助Flomerics网站上提供的宏——Thermoelectric Cooler Generator （） ;应用实例 ;TEA模型;计算45度和60度两种工作环境下，TEM工作电流分别为2.6A、2.3A和2A时TEC组件的总制冷量，如下表所示。;更改机柜内热负荷;更改各TEM之间的间隙;改变内侧风扇;实例;实验结果;结论;;问题的提出; 对于风扇吹风式冷却模块，原有的建模方式是风扇的进风面紧贴机壳前面板，前面板设置为平面几何体（即，不考虑其厚度）或打孔,然后建立与风扇端面相同大小的面阻尼（Collapsed Resistance）叠放在风扇进风面，如图所示; 在Flotherm软件的项目管理器的目录树中，几个模型的相对位置如图所示。 ; 根据软件本身规定的目录树中的层次级别，下层的模型优先级别高于上层，即，下层元件模型覆盖上层，因此，一般认为目录树中风扇级别优于面板，而进风栅格优于风扇，即，风扇进口覆盖了重叠部分的面板，而栅格覆盖了风扇进风口。 ;然而通过对几种建模方法的比较发现：这种建模方式计算的结果，与不建立栅格模型相仿，即栅格模型被软件忽略了！（栅格孔隙率为50％） ;; 在风扇本体上添加孔隙率50％阻尼所得的计算结果，风扇的总风量为0.00663m3/s,可见原有的建模方式使得风扇的风量增大了42％！; 当进风栅格的孔隙率小于50%，或者风扇的工作点出现在风扇的拐点附近时，这一差别将会更加明显。从而放大仿真误差，引起的危害是，热设计方案的余量过小，甚至仿真通过的方案实测温度过高。 ;另一种建模方法;此种模型的总风量为0.00661m3/s，与风扇本体加阻尼相仿;风扇前3mm处添加面阻尼，流量比风扇本体加阻尼高出约15.9%。经分析，流量增大的原因应该是：相对于风扇出口处的环形面，此处的阻尼面积增大，平均速度降低，故而压降变小。 ; 在阻尼和风扇之间建立一个与风扇HUB直径相同的圆柱。可见，流量仍比风扇本体加阻尼高出9.4%。 ;原因是，阻尼的面积仍然比风扇环形通道大，如图所示;将风扇模型在原来12面模型的基础上，改为4面模型，如图所示，并在风扇本体上加50%的开孔率。;计算结果如图所示。与风扇本体加阻尼相比，发现改变风扇模型后，流量变化不大，在1%以内。 ; 风扇采用4面模型，风扇前3mm处添加面阻尼，孔隙率为50%，计算结果如图2.16所示。若在阻尼和风扇HUB之间添加和HUB界面尺寸相同的正方体，则此时的面阻尼实际通风面积与风扇通风面积相同。计算结果如图2.17所示。;;结论：;从操作的简单性和设计余量的角度考虑，推荐的建模方法是风扇本体加阻尼。 ;;问题描述 ;典型功率器件的结构如图1所示（功率管的芯片和基板之间是两面敷铜的氧化铝陶瓷材料，即DCB）。;以前在对相关产品进行热仿真时，所建立的功率器件模型经过了一定程度的简化。主要是省掉了芯片与DCB、DCB与铜基板之间的两个焊料层；同时，把氧化铝陶瓷及其两面所敷的铜这三层简化为一个DBC实体，并根据经验给出一个基本等效的导热系数值。 ;这样简化的原因主要是忽略很多厚度很小的薄层（如焊料层约0.08mm），以减少网格数量。在如此简化的情况下，功率器件的结温模拟得不太准确；但是，从仿真结果和测试数据的比较来看，散热器表面的温度一般还是比较准的。根据功率器件资料中的结-壳热阻和壳-散热器热阻把芯片的结温推算出来，根据结温评估热设计方案。 ;新的功率器件建模方法 ;举例说明;添加热阻;热阻添加方法;由于铜基板的热阻已包括在上述的结-壳热阻中，其导热系数可以取一个很大的数值，比如设为5000W/(K.m)（铜的实际导热系数是385W/(K.m)）。 Flotherm在产品开发中的应用;;;;;;冷热两个端各包括两个热源，一个常量，一个与温度相关。塞贝克系数随温度变化而变化，在-50oC和50oC之间可以视为线性的，设为 α=MT+B;冷端热源： Source 1: -2NI(273.15)B (W) Source 2: Coefficient =2NI(273.