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- 2023-03-29 发布于四川
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本实用新型提供一种含Al氮化物半导体结构及器件，包括衬底、缓冲层及氮化铝层，在衬底中心区域上形成缓冲层，在衬底边缘区域留有空白区域，基于含Al氮化物层和衬底之间的较大的晶格失配，易形成多晶材料，可充分释放生长含Al氮化物层的应力，降低裂纹向中心区域的含Al氮化物层延伸的概率；缓冲层表面的缓冲层岛状结构，可进一步的释放缓冲层上生长含Al氮化物层的应力，以及有利于含Al氮化物层外延并生长出高质量的含Al氮化物层；在将缓冲层进行图形化后，外延生长含Al氮化物层时可进行侧向生长，从而可进一步提高含Al氮
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214043599 U
(45)授权公告日 2021.08.24
(21)申请号 202022873594.0 H01L 31/0304 (2006.01)
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