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一种二维半导体晶体管结构.pdfVIP

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  • 2023-03-29 发布于四川
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一种二维半导体晶体管结构.pdf

    本实用新型属于半导体器件技术领域，具体为一种二维半导体晶体管结构。本实用新型包括衬底、位于衬底上的二维半导体材料、源漏金属电极、氧化物介质层和位于介质层上的叠层金属栅极；氧化物介质层为双层介质层，叠层金属栅极为底层活泼金属和顶层惰性金属的双层金属栅极结构。本实用新型利用底层活泼金属与氧化物介质层I直接接触，发生固相扩散反应形成双层介质层，通过控制底层活泼金属的厚度，使二维半导体材料的载流子浓度受电偶极子效应的精确调控。本实用新型可以调节二维半导体场效应晶体管的阈值电压、提高器件的开关比和开态电流

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 214012946 U (45)授权公告日 2021.08.20 (21)申请号 202023163499.8 H01L 21/34 (2006.01)

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