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一种提升GaN基绿光LED发光效率的外延层.pdfVIP

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  • 2023-03-29 发布于四川
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一种提升GaN基绿光LED发光效率的外延层.pdf

    本实用新型公开了一种提升GaN基绿光LED发光效率的外延层，包括衬底，依次叠加设置在衬底上的AlN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、多量子阱、电子阻挡层、P型GaN层以及金属接触层；所述多量子阱包括若干对GaN层和InGaN层交替堆叠的周期性结构及设置在周期性结构上的量子垒层，所述量子垒层包括非故意掺杂GaN层﹑超晶格层以及设置在超晶格层上的P型InGaN层；所述超晶格层包括若干对交替堆叠的非故意掺杂的InxGa1‑xN和非故意掺杂的AlyGa1‑yN。本实用新型中的多量子阱中的量子垒层，能够

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 214043696 U (45)授权公告日 2021.08.24 (21)申请号 202021779195.1 (22)申请日 2020.08.24 (73)专利权人 黄

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