基于单层ALN基板的高集成度限幅场放.pdfVIP

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2023-03-30 发布于四川
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基于单层ALN基板的高集成度限幅场放.pdf

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基于单层ALN基板的高集成度限幅场放，包括：单层ALN基板；形成于单层ALN基板一面的第一lange电桥、第二lange电桥；通过薄膜工艺直接制备于单层ALN基板一面的薄膜电感、薄膜电阻；设于单层ALN基板一面的一组限幅芯片、一组低噪放芯片、大功率负载；第一lange电桥的两个输出端分别连接一个限幅芯片连接，第一lange电桥的隔离端连接大功率负载；各限幅芯片分别连接一个低噪放芯片；低噪放芯片分别连接于第二lange电桥的两个输入端，第二lange电桥的隔离端连接薄膜电阻；薄膜电感连接大功率负载

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 214045572 U (45)授权公告日 2021.08.24 (21)申请号 202120154541.5 (22)申请日 2021.01.20 (73)专利权人四川斯艾普电子科技有限公司