第三代半导体材料有望实现突破.docxVIP

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2023-04-07 发布于重庆
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第三代半导体材料有望实现突破第三代半导体材料有望实现突破当前功率器件产业正在发生深刻的变革，其中新材料成为产业新的发展重心。以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等材料因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能成为新型的半导体材料，属于新兴领域，具有极强的应用战略性和前瞻性。目前美欧、日韩及中国台湾等地区已经实现SiC、GaN等新材料功率器件的量产。部分境内企业通过多年的技术和资本积累，依托国家产业政策的重点扶持，也已开始布局新型半导体材料领域。由于新型半导体材料属于新兴领域，国内厂商与国际巨头企业的技术差距不断缩小，因此有望抓住机遇、实现突破并抢占未来市场。半导体材料为芯片之