纤锌矿结构ZnO、AlN、GaN自发极化及压电系数的第一性原理计算.pdfVIP

第 42卷 第 1期 陕西师范大学学报 (自然科学版) Vo1．42 N0．1 2014年 1月 JournalofShaanxiNormalUniversity(NaturalScienceEdition) Jan．，2014 文章编号 ：1672—4291(2014)01—0029—05 纤锌矿结构 ZnO、AIN、GaN 自发极化及 压电系数的第一性原理计算 牛海波，陈光德 ，耶红刚 (西安交通大学 理学院，陕西 西安 710049) 摘 要：以现代极化理论为基础 ，通过构建一种结构简单、直观的计算模 型，分别采用 Berryphase 和最大局域化 Wannier函数方法并结合第一性原理 ，计算 了纤锌矿结构的ZnO、AlN及 GaN半导 体的 自发极化及压电系数 ，研究了自发极化与晶体结构之 间的关系．计算结果与 已有报道结果吻合 较好．结果表明：AlN 的 自发极化及压 电系数在三种半导体 中最大，其 自发极化超过另外两种半导 体的