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一种具有介质保护层的SGT器件.pdfVIP

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  • 2023-04-04 发布于四川
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一种具有介质保护层的SGT器件.pdf

    本实用新型公开一种具有介质保护层的SGT器件，包括：第一导电类型的衬底、第一导电类型的漂移区、沟槽，所述沟槽内设有控制栅电极和屏蔽栅电极，且控制栅电极位于屏蔽栅电极的上方；还包括第一介质层，填充于第一介质层与沟槽内壁之间的介质保护层、第二介质层、第二导电类型的基区、源极金属、第三介质层；所述第二导电类型的基区上设有并排的第一导电类型的重掺杂区与第二导电类型的重掺杂区，且第一导电类型的重掺杂区靠近第二介质层设置。本实用新型引入氧化铝介质保护层，有效抑制由于界面俘获空穴引起的SGT雪崩击穿不稳定性，

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 214099630 U (45)授权公告日 2021.08.31 (21)申请号 202023234842.3 (22)申请日 2020.12.28 (73)专利权人 深圳市威兆半导体有限公司

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