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碳基场效应晶体管传感器.pdfVIP

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  • 2023-04-04 发布于四川
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碳基场效应晶体管传感器.pdf

    本实用新型涉及场效应管领域，公开一种碳基场效应晶体管传感器，包括：位于底层的栅极；位于栅极的一侧的第一介质层；位于所述第一介质层背离所述栅极一侧表面的碳纳米管层；位于所述碳纳米管层背离所述第一介质层一侧表面的第二介质层；位于所述第二介质层背离所述碳纳米管层一侧表面的铁电材料层、源极与漏极，所述铁电材料层设置在源极与漏极之间、并与源极与漏极分别电连接；以及位于铁电材料层背离第二介质层一侧表面的敏感层；其中，所述敏感层作为传感器探针，被设置成包括用于探测待测对象的敏感材料。本实用新型通过铁电层与碳纳

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 214097255 U (45)授权公告日 2021.08.31 (21)申请号 202022953776.9 (22)申请日 2020.12.08 (73)专利权人 湘潭大学 地址 4

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