一种MOSFET栅极负反馈有源驱动电路.pdfVIP

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  • 2023-04-04 发布于四川
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本实用新型提供了一种MOSFET栅极负反馈有源驱动电路,用于SiC、GaN等宽禁带半导体器件在桥臂电路中的高速驱动。基于负反馈控制原理,在不牺牲开关速度的前提下,自动抑制栅源电压干扰,实现高速开关下的栅压稳定。所述电路包括:驱动推挽电路、驱动电阻、辅助电容和辅助MOSFET。其中驱动推挽电路为普通的MOSFET驱动芯片,驱动电阻为电阻R,辅助电容为电容C,辅助MOSFET为P沟道MOSFETQp。该MOSFET栅极负反馈有源驱动电路结构简单,易于实现,可在不牺牲SiC、GaN等宽禁带半导体器件

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 214125140 U (45)授权公告日 2021.09.03 (21)申请号 202022294764.X (ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 (22)申请日 2020

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