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- 2023-04-04 发布于四川
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本申请公开了一种双向功率器件,包括:半导体层;第一掺杂区,位于半导体层中;第一沟槽区的多个沟槽,位于第一掺杂区中,将第一掺杂区分隔为交替的第一类子掺杂区与第二类子掺杂区;位于多个沟槽中的栅介质层、控制栅、屏蔽介质层、屏蔽栅;覆盖介质层,位于半导体层表面;以及穿过覆盖介质层的衬底电极、第一接触电极、第二接触电极、第一栅电极以及第二栅电极,其中,第一接触电极、第二接触电极、第一栅电极、第二栅电极以及衬底电极的表面与覆盖介质层平齐。该器件的电极和覆盖介质层齐平,利于后续平坦化工艺需求,同时,由于电极做
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214123884 U
(45)授权公告日 2021.09.03
(21)申请号 202022419892.2
(22)申请日 2020.10.27
(73)专利权人 杭州士兰微电子股份有限公司
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