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- 2023-04-04 发布于四川
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本实用新型公开一种具有PSG介质保护层的SGT器件,包括:第一导电类型的衬底、第一导电类型的漂移区、沟槽;所述沟槽内设有控制栅电极和屏蔽栅电极,且控制栅电极位于屏蔽栅电极的上方;还包括PSG介质保护层,位于沟槽内壁并填充在屏蔽栅电极的底部及侧面;还包括第一介质层、第二导电类型的基区、第一导电类型的重掺杂区、第二导电类型的重掺杂区、源极金属、第二介质层。本实用新型使用掺磷的PSG作为屏蔽栅介质层,起屏蔽空穴的作用,有效抑制由于界面俘获空穴引起的SGT雪崩击穿不稳定性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214099631 U
(45)授权公告日 2021.08.31
(21)申请号 202023248067.7
(22)申请日 2020.12.28
(73)专利权人 深圳市威兆半导体有限公司
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