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2023-04-04 发布于北京
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一种反应腔装置.pdf

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一种反应腔装置，包括：反应腔主体；位于反应腔主体内的晶圆承载平台，晶圆承载平台的表面适于放置晶圆；环绕晶圆承载平台的上缓冲环;位于上缓冲环的底部且环绕晶圆承载平台的下缓冲环；位于下缓冲环底部的若干分立的高度调节器，若干分立的高度调节器适于调节下缓冲环至所述上缓冲环之间不同区域的纵向距离。所述反应腔装置能够提高晶圆表面反应的均匀性和对称性。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 214099575 U (45)授权公告日 2021.08.31 (21)申请号 202023041270.7 (22)申请日 2020.12.17 (73)专利权人上海谙邦半导体设备有限公司