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- 2023-04-06 发布于四川
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本实用新型提供一种电容及半导体设备。该电容包括上电极、下电极和电介质层，所述电介质层设置于所述上电极和所述下电极之间，所述上电极和所述下电极均包括一层相同的金属层。该电容结构简单，简化了制作流程，而且具有较好的电极特性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215451402 U
(45)授权公告日 2022.01.07
(21)申请号 201820074900.4
(22)申请日 2018.01.17
(73)专利权人 北
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