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一种不需要外置Boost电容的high side高压NMOS驱动电路.pdfVIP

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  • 2023-04-06 发布于四川
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一种不需要外置Boost电容的high side高压NMOS驱动电路.pdf

    本发明提供了一种不需要外置Boost电容的highside高压NMOS驱动电路，通过时钟信号处理电路、电荷泵电路、高压NMOS驱动电路设计，可以在不需要外置Boost电容的条件下，利用电荷泵连续抬高栅极驱动电压，产生驱动高压NMOS的驱动电压，并且可以根据实际需要，改变时钟信号的频率来改变功率管栅极电压抬高的速度，改变其导通的速度，在时钟信号高电平或低电平时对两个不同的电容充电，增大了抬高栅极电压的速度，提高了驱动效率，减少了由于电容充放电产生的能量损耗。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215452774 U (45)授权公告日 2022.01.07 (21)申请号 202023145428.5 (22)申请日 2020.12.23 (73)专利权人 西安拓尔微电子有限责任公司

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