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一种基于CMOS结构的宽带高线性低噪声放大器电路.pdfVIP

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  • 2023-04-06 发布于四川
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一种基于CMOS结构的宽带高线性低噪声放大器电路.pdf

    本发明公开了一种基于CMOS结构的宽带高线性低噪声放大器电路，其特征是：为由输入级、中间级与输出级组成的三级级联结构，其中，输入级采用二级级联共栅结构，用于实现射频宽带匹配及低噪声放大功能；中间级采用分布式共源放大器结构，用于实现信号的宽带延展与信号放大，输出级采用功率放大器设计结构，用于实现射频信号的输出匹配及功率驱动功能。本发明实现了在宽频带500MHz~2.5GHz频率范围内宽带高线性工作，性能良好，实现基于CMOS结构的宽带高线性低噪声放大器，可实现后续整个系统的单片集成。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215420203 U (45)授权公告日 2022.01.04 (21)申请号 202121901007.2 H03F 3/193 (2006.01)

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