原创力文档- 3
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- 2023-04-06 发布于四川
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本实用新型公开了半导体存储装置，其包括衬底以及电容器。电容器设置在衬底上并包括由下而上依序堆叠的底电极层、电容介电层、以及顶电极层，以及第一含铝隔绝层。第一含铝隔绝层包括氮化铝钛或氮氧化铝，直接接触设置电容介电层并位在底电极层以及顶电极层之间。藉此，本实用新型的半导体存储装置可有效改善漏电流问题。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215418180 U
(45)授权公告日 2022.01.04
(21)申请号 202122168950.3
(22)申请日 2021.09.08
(73)专利权人 福建省晋华集成电路有限公司
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