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- 2023-04-06 发布于四川
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本申请涉及一种晶控结构、真空腔体以及真空镀膜机,所述晶控结构包括:包括设于真空腔体顶部的晶控探头,在所述晶控探头的晶片外部设有磁场结构;所述磁场结构产生的磁场至少覆盖所述晶片外表面范围;其中,参杂在蒸发膜料中的电子和/或带电粒子在磁力的作用下改变运动方向,偏离晶片表面,不带电的成膜原子能穿过磁场沉积在晶片上;该技术方案,通过磁场作用来偏转电子和/或带电粒子,减少了受电子或带电粒子干扰对晶片干扰,使得镀在晶片上的是更高纯度的膜料,从而提高了晶控检测的精确度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215404498 U
(45)授权公告日 2022.01.04
(21)申请号 202122242849.8
(22)申请日 2021.09.15
(73)专利权人 佛
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