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半导体工艺设备及其冷却腔室.pdfVIP

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  • 2023-04-07 发布于北京
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半导体工艺设备及其冷却腔室.pdf

    本申请实施例提供了一种半导体工艺设备的冷却腔室。该冷却腔室包括：腔体结构的第一腔壁上设置有传输口，腔体结构内具有与传输口连通的冷却空间；两个第一冷却结构分别形成于腔体结构的两相对的第二腔壁上，并且两个第二腔壁分别位于第一腔壁的两侧；第二冷却结构形成于腔体结构的底壁上，第一冷却结构和第二冷却结构均用于通入冷却介质以对冷却空间内的晶圆进行冷却；冷却进气结构设置于底壁上，并且远离传输口设置，用于向冷却空间内输入冷却气体以对晶圆进行冷却。本申请实施例实现了大幅提高冷却腔室的冷却效率，而且还能使冷却腔室的

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215440755 U (45)授权公告日 2022.01.07 (21)申请号 202121335431.5 (22)申请日 2021.06.16 (73)专利权人 北

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