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本申请涉及半导体封装结构。根据本申请的部分实施例的该半导体封装结构包括:第一电子组件及芯片附接层,芯片附接层与第一电子组件堆叠。该芯片附接层包括:芯片附接部分及嵌段部分,芯片附接部分围绕嵌段部分,其中芯片附接部分具有第一热传导率,且嵌段部分具有大于第一热传导率的第二热传导率。该嵌段部分的第一表面与第一电子组件接触。本申请部分实施例提供的半导体封装结构通过采用具有嵌合部分的芯片附接层,能够有效提高电子组件与其接合的电子组件或衬底之间的热传导效率。因此,本申请部分实施例提供的半导体封装结构具有良好的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215451403 U
(45)授权公告日 2022.01.07
(21)申请号 202121704236.5
(22)申请日 2021.07.26
(73)专利权人 美光科技公司
地址
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