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- 2023-04-09 发布于四川
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本实用新型公开了一种气相沉积石墨烯层生长制备装置，气相沉积石墨烯层生长制备装置包括密封腔体、高真空密封插板阀、热场底座、石墨硬毡保温层、第一石墨发热体、第二石墨发热体、第一感应线圈和第二感应线圈，通过封闭密封腔体，抽真空；启动第一感应线圈和第二感应线圈；升温达到目标温度；充入高纯工艺气体；温度降至摄氏度和取出镀有涂层的衬底片，通过采用每个气路只对应一个衬底片，从而避免由单气路对应多衬底片导致的充气压力不均，碳原子沉积不均匀的问题，共八组制备装置同时制备生产，其中每个气路独立控温，控制流量，保证工
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215481249 U
(45)授权公告日 2022.01.11
(21)申请号 202120381889.8 C30B 25/10 (2006.01)
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