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氮化镓半导体结构.pdfVIP

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  • 2023-04-09 发布于四川
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氮化镓半导体结构.pdf

    本实用新型提供一种氮化镓半导体结构，包括氮化镓层、沟槽屏蔽结构、第一金属层及第二金属层。本实用新型通过在复合图形衬底上形成氮化镓层，生长过程中可以进一步减少位错密度并能够将位错集中到某一特定区域以形成缺陷合拢区，而其他生长区域形成的氮化镓材料几乎没有位错缺陷，之后在缺陷合拢区上形成沟槽及绝缘阻挡层，其中，绝缘阻挡层可阻挡电极金属和杂质金属元素扩散到位错中，从而无法形成漏电通道，且欧姆接触区域或肖特基接触区域下面的氮化镓层没有位错，从而提高了器件的可靠性和稳定性。本实用新型可获得高质量的氮化镓晶体

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215496727 U (45)授权公告日 2022.01.11 (21)申请号 202121093615.5 H01L 29/20 (2006.01)

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