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一种半导体单晶硅的拉晶炉.pdfVIP

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  • 2023-04-09 发布于四川
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一种半导体单晶硅的拉晶炉.pdf

    本实用新型涉及一种半导体单晶硅的拉晶炉，属于单晶硅生产技术领域。包括炉体、设置在炉体内的坩埚和加热器，炉体内设有梯度测温装置，炉体的底部设有温度测试仪；加热器设置在坩埚的外围，包括间隔一定距离上下布置的上加热器和下加热器，上加热器和下加热器的发热区高度为坩埚高度的1/4至1/2，且上加热器与下加热器的加热区之间间隔为50mm至坩埚高度的1/3。实现了坩埚内熔体的温度梯度和坩埚底部的温度的精准控制，从而获得了低缺陷密度低COP的高品质硅单晶，以及各类半导体硅器件对单晶氧含量的要求，并且硅单晶的品质

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215481416 U (45)授权公告日 2022.01.11 (21)申请号 202120820488.8 (22)申请日 2021.04.21 (73)专利权人 姜益群 地址 31

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