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- 2023-04-09 发布于四川
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本实用新型公开了一种三极管双排框架结构,包括掺杂半导体、隔离金属环、塑料封盖和引线电极,所述塑料侧封盖的内壁且靠近上端固定连接有塑料上封盖,所述塑料侧封盖的内壁且靠近下端固定连接有塑料下封盖。本实用新型,通过设置四层不同浓度和类型的掺杂半导体,使得一个三极管具备PNP和NPN两种属性的功能,提高了三极管的适用性,通过在每层不同属性的掺杂半导体之间设置隔离金属环,既能保证导电性,又能避免半导体之间形成的P‑N结处发生局部击穿,通过设置塑料封盖对半导体进行封装,在起到很好保护作用的同时降低了三极管的
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215496728 U
(45)授权公告日 2022.01.11
(21)申请号 202121268037.4
(22)申请日 2021.06.08
(73)专利权人 深圳市诠方半导体有限公司
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