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- 2023-04-09 发布于四川
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本实用新型涉及半导体器件技术领域,具体涉及一种基于Clip结构的IGBT器件,封装外壳体、二极管芯片、IGBT芯片、发射极引脚、控制极引脚、集电极引脚、铜clipⅠ、铜clipⅡ和处于封装外壳体内部设置有框架;集电极引脚与框架直接连接,发射极引脚和控制极引脚分别与框架隔离设置,并通过封装外壳体固定;二极管芯片和IGBT芯片分别焊接于框架上,二极管芯片的阴极通过框架与IGBT芯片的集电极连接;IGBT芯片的控制极通过铜clipⅠ与控制极引脚连接,IGBT芯片的发射极和二极管芯片的阳极通过铜clip
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215496708 U
(45)授权公告日 2022.01.11
(21)申请号 202121218426.6
(22)申请日 2021.06.02
(73)专利权人 乐
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