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- 2023-04-09 发布于四川
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本申请实施例提供了一种半导体器件结构及电子设备，包括，半导体器件本体，所述半导体器件本体上表面设置有介质层，在所述介质层上方对应位置间隔设置有栅极金属层与源极金属层，在所述介质层中与栅极金属层对应的位置至少设置一个第一接触孔和第二接触孔，在所述介质层中与源极金属层对应的位置至少设置一个第三接触孔，所述第一接触孔、所述第二接触孔和所述第三接触孔中填充有导电金属，本申请提供的技术方案可以降低半导体器件结构中的金属层与介质层分层的风险。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215496729 U
(45)授权公告日 2022.01.11
(21)申请号 202120429893.7
(22)申请日 2021.02.27
(73)专利权人 上
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