氢化物气相外延法生长III-V族化合物单晶的设备.pdfVIP

下载本文档

2
0
约1.81万字
约 12页
2023-04-10 发布于四川
举报
版权申诉

氢化物气相外延法生长III-V族化合物单晶的设备.pdf

1、本文档共12页，其中可免费阅读11页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本实用新型公开了一种氢化物气相外延法生长III‑V族化合物单晶的设备，包括：HVPE反应腔室，具有沿预设方向依次连通设置的第一区域、第二区域、第三区域，第一区域可供III族元素源与氮源反应生成III族氮化物单晶、氢气和卤素氢化物，第二区域可供III族元素源与氢气反应生成III族元素单质和卤素氢化物；第三区域可供氮源与卤素氢化物反应生成铵盐；加热装置，用于分别对所述第一、第二和第三区域进行加热；氮源和III族元素源供给机构，所述氮源和III族元素源供给机构与HVPE反应腔室连接。所述设备提高了II

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215481424 U (45)授权公告日 2022.01.11 (21)申请号 202121751342.9 C30B 25/16 (2006.01) (22)申请日 2