一种用于集成电路的低漏端电容小尺寸环形MOS场效应晶体管.pdfVIP

下载本文档

2
0
约8.82千字
约 10页
2023-04-10 发布于四川
举报
版权申诉

一种用于集成电路的低漏端电容小尺寸环形MOS场效应晶体管.pdf

1、本文档共10页，其中可免费阅读9页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本实用新型公开了一种用于集成电路的低漏端电容小尺寸环形MOS场效应晶体管，涉及半导体器件技术领域，包括衬底；漏端，设置在所述衬底上，所述漏端的横截面为圆形；源端，设置在所述衬底上，所述源端的横截面呈圆环状，且所述源端位于所述漏端外侧；栅极，位于所述源端与所述漏端之间的间隙内；以及,衬底接触端，设置在所述源端内，且与所述衬底连接。本实用新型极大地减少了MOS器件的整体面积，也让MOS器件各个点的背栅电阻变得更加均匀，同时，可调节漏端与栅极的交叠面积，减少漏端的寄生电容，另外，环形结构的MOS器件在

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215496731 U (45)授权公告日 2022.01.11 (21)申请号 202121623299.8 (22)申请日 2021.07.16 (73)专利权人江苏高格芯微电子有限公司