一种基于二次谐波测量半导体多层结构的方法和装置.pdfVIP

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2023-04-12 发布于四川
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一种基于二次谐波测量半导体多层结构的方法和装置.pdf

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本发明针对晶圆全域测量提供了基于二谐波的测量方法和装置。该方案包括定点测量、扫描测量，以及定点测量与扫描测量相结合三种方式。该扫描测量方案可以在保证高测量效率的前提下对晶圆做全域测量，得出电学缺陷的位置、尺寸、相对密度分布，实现对晶圆异常点的定位和排查，这是之前的二谐波测量技术无法实现的。本发明还提供了新的描述二谐波信号的公式体系，使得定点测量、扫描测量，以及定点测量与扫描测量相结合三种情况下，实际测量结果与理论模型都得到了统一，使得二次谐波测量技术不再只是定性分析方法，而是可以作为定量分析方法

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823406 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210328447.6 (22)申请日 2022.03.31 (71)申请人上海微崇半导体设备有限公司地址