强化沸腾结构及电子芯片.pdfVIP

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2023-04-12 发布于四川
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本实用新型提供了一种强化沸腾结构及电子芯片，涉及散热技术领域，该强化沸腾结构包括导热基板、散热肋和微纳凹凸结构，散热肋位于导热基板的第一表面上，微纳凹凸结构形成于第一表面和散热肋的表面；散热肋的尺寸为微米至毫米级。该强化沸腾结构通过散热肋和微纳凹凸结构，提高了核态沸腾换热性能及电子芯片的临界热流密度，从而提高了电子芯片的散热效果。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215600351 U (45)授权公告日 2022.01.21 (21)申请号 202023122543.0 (ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利 (22)申请日 2020