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本实用新型涉及半导体芯片技术领域，且公开了一种抗噪效果好的半导体芯片，包括芯片本体，所述芯片本体包括有第一性能层、基层和第二性能层，所述第一性能层的底部与基层的顶部设置，所述基层的底部与第二性能层的顶部设置，所述第一性能层包括有电镀层、隔音层和耐高温层，所述电镀层的底部与隔音层的顶部设置，通过设置防水层、降噪层和耐磨层，防水层的表面涂抹有防水涂料，起到了防水的作用，降噪层是由一种石棉绒‑泡沫铝镁复合材料制成，具有优异的隔音降噪性能，耐磨层是由一种聚氨酯材料制成，具有耐磨性能，避免因芯片的表面受到
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 215551564 U
(45)授权公告日 2022.01.18
(21)申请号 202122362064.4 H01L 23/00 (2006.01)
(22)申请日 2
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